Flash Gun Method的基本方法是测量铜片背面温度从升高至（＋）/2所用的时间。实验中可以取不同厚度的铜片，多次测量后用线性拟合求出系数，进一步算得和K。

在本实验中，如何使用triggering功能以及如何编写m脚本文件是十分重要的。在基于LJ-U12卡的情况下，可以有不同的脚本编写方式。首先，请阅读相关说明文件，了解如何使用AD卡的triggering功能。

具体涉及到如何编写m文件的话，可以有如下的一些方法：

我们可以尝试不使用triggering功能。当对测量精度要求不是很高的话，可以利用m文件启动测量(需要使用输出端口来控制Flash Gun)，先测量前表面T(x=0)，再换算为，并记录开始的时间。然后使用While循环，在每一次循环中，读取铜片后表面的电压（要用pause指令），并进行判别，当后表面温度达到（＋）/2 时，循环停止，再记录结束时的时间。时间差即为，再测量铜片厚度，然后计算。

上面的方法使用的是AISample或Eanalogin，一次只读取一个数据，两次读取之间基本上有50ms的时间差。如果对测量精度要求比较高的话，这种方法就不太合适了。因此可以做一个改进，首先使用AIburst的采集方法，开启triggering功能，当前表面温度瞬时升高后，触发信号前、后表面信号的采集（这一次的测量数据可以不用太多，测量前表面温度是为了获得。当然由于Flash Gun的功率在每一次试验中是一样的，因此我们也可以事先测出室温下的，每次不同的测量前保证Cu片完全冷却即可）。之后的过程仍然采用While循环，在每个循环中，用AIburst取代AISample或Eanalogin，只测量后表面，并作电位判断。由于每次AIburst可以利用AD卡内置的计时器采集4k的数据，因此相比之前每次采集都要花50ms的情况，AIburst精度更高。当然也可以不作电位判别，等一段足够长的时间后，将数据作图，从图上读出。

第三种方法比较复杂一点，就是利用simulink，开启监视窗口，利用Simulink中的模块对整个过程进行设计优化，有兴趣的话可以尝试一下。

纵上，由于采用计算机编程控制，因此实际上可以有许多不同的方法。在理解实验原理的基础上，完全可以自行设计实验方案、优化m文件。本实验的操作并不复杂，如何通过不同的方式提高测量精度并且减少测量时间才是真正需要思考的地方。

返回