差别
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exp:common:hexy [2022/09/04 19:51] xiaole [实验原理] |
exp:common:hexy [2022/09/04 19:52] xiaole [实验原理] |
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| 行 13: | 行 13: | ||
| ===== 实验原理 ===== | ===== 实验原理 ===== | ||
| - | 霍耳电压U<sub>H</sub>与半导体所处磁感应强度大小//B//、流过半导体的电流//I//满足下式：<m> U_{H}=K_{H}*I*B </m> | + | 霍耳电压U<sub>H</sub>与半导体所处磁感应强度大小 //B// 、流过半导体的电流 //I// 满足下式：<m> U_{H}=K_{H}*I*B </m> |
| - | 式中，K<sub>H</sub>为元件的霍耳灵敏度。（K<sub>H</sub>是否随温度的变化而变化？） | + | 式中，K<sub>H</sub>为元件的霍耳灵敏度。（ K<sub>H</sub> 是否随温度的变化而变化？） |