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home:xiaole:projects:thin_film_deposition_in_high_vacuum [2021/11/15 08:55] 郭泽婧 |
home:xiaole:projects:thin_film_deposition_in_high_vacuum [2021/12/09 15:57] (当前版本) 郭泽婧 |
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| 行 13: | 行 13: | ||
| - 真空系统概述 | - 真空系统概述 | ||
| * 设备配备的真空系统如图所示。 | * 设备配备的真空系统如图所示。 | ||
| + | * {{:playground:系统示意.png?150|}} | ||
| - 探究生长室可以达到的真空度(烘烤前后) | - 探究生长室可以达到的真空度(烘烤前后) | ||
| - | == 二、对系统真空测量系统、流量监测系统进行校正和调整，使其满足镀膜需求。== | + | == 二、对系统真空测量系统、流量监测系统、靶枪进行校正或调整，使其满足TiN镀膜需求，进行预实验。== |
| - 对不同真空计(热阴极电离规、冷规、薄膜真空电容计) 进行校准，探究不同真空计的适用范围。 | - 对不同真空计(热阴极电离规、冷规、薄膜真空电容计) 进行校准，探究不同真空计的适用范围。 | ||
| * 薄膜真空电容计的测量范围为0.0133Pa-133Pa。 | * 薄膜真空电容计的测量范围为0.0133Pa-133Pa。 | ||
| - | * {{:playground:校准.png?linkonly|}} | + | * {{:playground:校准.png?200|}} |
| + | - 更换靶枪。拆卸镀膜装置的靶枪部分，了解其内部结构以及镀膜时的工作原理，换上Ti靶。 | ||
| + | * **注意：换靶后，一定要检查靶枪是否安装好，用万用表检测是否短路，避免靶枪短路而无法正常工作。** | ||
| + | - 分别探究Ar、N2作为工艺气体时产生等离子体的条件（压强、溅射功率）。控制进气路的微调阀以及分子泵的插板阀，使得压强控制在一定的数值，打开溅射电源，调节功率，观察是否正常启辉。 | ||
| + | * Ar作为工艺气体时，生长室内的压强应≥5E-3Torr（~0.67Pa），溅射功率为0.03kW时，即可正常启辉。 | ||
| + | * N2作为工艺气体时，生长室内的压强应≥9.5E-3Torr（1.3Pa），溅射功率为0.08kW时，即可正常启辉。 | ||
| + | * **注意：在溅射过程中一定要控制好流量，最好不要超过100sccm，避免使分子泵瞬间负载过大。** | ||
| + | - 用N2作为工艺气体，用挡板遮住样品台，在溅射功率0.08kW、压强1.3~2.0Pa的条件下，利用产生的等离子体对Ti靶表面进行清洗，约15min。 | ||
| + | - 更换进样室插板阀，探究插板阀的内部结构和作用原理。【之前关闭插板阀时用力过大造成插板阀内部连接件损坏】 | ||
| + | * 一种插板阀的内部结构示意图。 {{:playground:1.png?50|}} | ||
| + | * **注意：关闭插板阀时，感受到向下的阻尼加大，则不要再用力。** | ||
| + | == 三、探究不同工艺参数对TiN薄膜表面形貌、性能的影响。== | ||
| + | - 选择不同的基片温度、样品与靶台之间的距离，表征得到的TiN薄膜，进而确定合适的参数值。 | ||