在Si(100)面上刻蚀图案衬底 具体步骤如下：

 1 清洗硅片
 丙酮超声10分钟→甲醇超声10分钟→用去离子水水冲洗5分钟→浓硫酸：双氧水=4：1溶液中清洗15分钟→去离子水清洗5分钟→在10%的氢氟酸溶液中浸泡20秒
 2 排小球
 事先配好聚苯乙烯100nm,200nm小球溶液，在培养皿里向浸泡过氢氟酸的硅片表面排单层膜，用针尖把单层膜下的水吸干，硅片表面就有一层单分子膜
 3 喷金
 对排好小球的硅片喷金，使使单分子间的空隙覆盖一层金。
 4 腐蚀
 用四氢呋喃擦拭硅片表面，去掉小球，然后在四氢呋喃中超声5分钟→在酒精中超声2分钟→用水清洗2分钟→在20%的氢氧化钾溶液中腐蚀1分钟（排100nm小球的）和3分钟（排200nm小球的）→ 用水冲洗，用气囊吹干。
 5 AFM扫描观察

• 图一 衬底制作步骤示意图

• 图2 5um×5um小球六角排列
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• 图3 从（a）-(d),对排200nm小球硅片腐蚀2min,3min,5min,7min的单个小坑形貌
• 附：对Si(111)在30%KOH溶液中腐蚀20min后的形貌
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Peixuan Chen, Yongliang Fan, Zhenyang Zhong;Nanotechnology 20 (2009) 095303