图形片衬底的制作

实验室可提供的主要器材

实验目的、意义和要求

实验前应回答的问题

实验内容

在Si(100)面上刻蚀图案衬底 具体步骤如下:

 1 清洗硅片
 丙酮超声10分钟→甲醇超声10分钟→用去离子水水冲洗5分钟→浓硫酸:双氧水=4:1溶液中清洗15分钟→去离子水清洗5分钟→在10%的氢氟酸溶液中浸泡20秒
 2 排小球
 事先配好聚苯乙烯100nm,200nm小球溶液,在培养皿里向浸泡过氢氟酸的硅片表面排单层膜,用针尖把单层膜下的水吸干,硅片表面就有一层单分子膜
 3 喷金
 对排好小球的硅片喷金,使使单分子间的空隙覆盖一层金。
 4 腐蚀
 用四氢呋喃擦拭硅片表面,去掉小球,然后在四氢呋喃中超声5分钟→在酒精中超声2分钟→用水清洗2分钟→在20%的氢氧化钾溶液中腐蚀1分钟(排100nm小球的)和3分钟(排200nm小球的)→ 用水冲洗,用气囊吹干。
 5 AFM扫描观察

  • 图一 衬底制作步骤示意图

  • 图2 5um×5um小球六角排列
  • 图3 从(a)-(d),对排200nm小球硅片腐蚀2min,3min,5min,7min的单个小坑形貌
  • 附:对Si(111)在30%KOH溶液中腐蚀20min后的形貌

实验报告要求

参考书籍与材料

Peixuan Chen, Yongliang Fan, Zhenyang Zhong;Nanotechnology 20 (2009) 095303

建议问题

 
exp/图形片衬底的制作.txt · 最后更改: 2010/03/27 07:17 由 peixuanchen
 
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